產品規格TO-220包裝說明紙箱
肖特基二管結構：
新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別的。傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs）。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。其結構示圖如圖1（a），圖形符號和等效電路分別如圖1（b）和圖1（c）所示。在圖1（c）中，CP是管殼并聯電容，LS是引線電感，RS是包括半導體體電阻和引線電阻在內的串聯電阻，Cj和Rj分別為結電容和結電阻（均為偏流、偏壓的函數）。 大家知道，金屬導體內部有大量的導電電子。當金屬與半導體接觸（二者距離只有原子大小的數量級）時，金屬的費米能級半導體的費米能級。在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊（勢壘區全部落在半導體一側）。勢壘區中自建電場方向由N型區指向金屬，隨熱電子**自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，終達到動態平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。
在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態平衡。在加正向偏壓（即金屬加正電壓，半導體加負電壓）時，自建場削弱，半導體一側勢壘降低，于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結二管一樣，是一種具有單向導電性的非線性器件。
肖特基二管又被稱為肖特基勢壘二管（簡稱 SBD），是一種低功耗、高速半導體器件。肖特基二管顯著的特點是反向恢復時間短，正向導通壓降僅為0.4V左右。肖特基二管多用作高頻、大電流整流二管、低壓、續流二管、保護二管、小信號檢波二管、微波通信等電路中作整流二管等處使用。肖特基二管在通信電源、變頻器等中比較常見。肖特基二管在雙型晶體管的開關電路里面，通過在連接二管來箝位。
肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
肖特基二管是由貴金屬金、鋁、銀、鉑等A為正，以N型半導體B為負，然后利用二者接觸面之間上形成的勢壘一種具有整流特性制成的金屬半導體器件。肖特基二管由于N型半導體中存在大量電子，而貴金屬中僅有少量自由電子，肖特基二管中的電子便從濃度高的B向濃度低A中擴散。肖特基二管金屬A中沒有空穴，不存在空穴自A向B擴散運動。隨著肖特基二管中電子不斷從B擴散到A，B的表面電子濃度逐漸降低，表面電中性破壞，于是形成勢壘。
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