常用可控硅BT151-800 TO-252 TecShineSemi牌子

雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。象限的曲線說明當加到主電上的電壓使Tc對T1的性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電壓UBO時，圖3(b)左邊的可控硅就觸發導通，這時的通態電流為I21，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到，觸發電流越大，轉折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發導通規律是一致的， 當加到主電上的電壓使Tl對T2的性為正時，叫做反向電壓，并用符號U12表示。當這個電壓達到轉折電壓值時，圖3（b)右邊的可控硅便觸發導通，這時的電流為I12，其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線，如圖4中三象限所示。
四種觸發方式
由于在雙向可控硅的主電上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制G對電Tl所加的也是正向觸發信號（圖5a）。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按二象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電---陽（A）陰（C）和控制（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制G決定。在控制G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。
大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電〔圖2(a）〕：層P型半導體引出的電叫陽A，三層P型半導體引出的電叫控制G，四層N型半導體引出的電叫陰K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制G，這就使它具有與二管不同的工作特性。
以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以**上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；，等等。
可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結構
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制G，所以它是一種四層三端的半導體器件。

用途：
普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。
2：大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。
3：大功頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。
封裝形式：常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等
主要參數：
電流
⒈ 額定通態電流（IT）即大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰和陽的電流平均值。

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