供應應急電源肖特基二管 MBR2045CT TO-220 TecShineSemi

肖特基二管
肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
肖特基二管優點：SBD具有開關頻和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PC）電路率開關器件的續流二管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二管以及PC升壓用600V二管等，只有使用恢復外延二管（RED）和恢復二管（URD）。URD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于URD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已**了突破性的進展，150V和 200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。

肖特基二管具有開關頻、正向壓降低等優點，但肖特基二管的反向擊穿電壓比較低，一般不會60V，高僅約為100V，以致于限制了肖特基二管的應用范圍。在變壓器次級用100V以上的高頻整流二管、開關電源和功率因數校正電路中的功率開關器件續流二管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV之間的高速二管、PFC升壓用600V二管等情況下時，只有使用恢復外延二管和恢復二管。

如何選用肖特基二管
開關電源當中我們經常會用到肖特基二管，但是由于不同廠商等原因性能上就相差很大，我們選擇肖特基時必須要考慮以下幾點參數：
1.導通壓降VF：VF為二管正向導通時二管兩端的壓降，選擇肖特基二管是盡量選擇VF較小的二管。
2.反向飽和漏電流IR：IR指在二管兩端加入反向電壓時，流過二管的電流，肖特基二管反向漏電流較大，選擇肖特基二管是盡量選擇IR較小的二管。
3.額定電流IF：指二管長期運行時，根據允許溫升折算出來的平均電流值。
4.大浪涌電流IFSM：允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個值相當大。
5.大反向峰值電壓VRM：即使沒有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會使二管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時電壓，而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的大值是規定的重要因子。大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的大反向電壓。
6.大直流反向電壓VR：上述大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓，VR是連續加直流電壓時的值。用于直流電路，大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。
7.高工作頻率fM：由于PN結的結電容存在，當工作頻率過某一值時，它的單向導電性將變差。肖特基二管的fM值較高，大可達100GHz。
8.反向恢復時間Trr：當工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，二管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上，一般要延遲時間。決定電流截止延時的量，就是反向恢復時間。雖然它直接影響二管的開關速度，但不一定說這個值小就好。也即當肖特基二管由導通突然反向時，反向電流由很大衰減到接近IR時所需要的時間。大功率開關管工作在高頻開關狀態時，此項指標至為重要。

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