MOS管 TSS12**0P

MOS管工作原理--MOS管簡介MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵較。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個區是一樣的

MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源較接地時的情況（低端驅動），只要柵較電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源較接VCC時的情況（驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅動中，通常還是使用NMOS。

mos管三個較分別是什么及判定方法
mos管的三個較分別是：G（柵較），D（漏較）s（源及），要求柵較和源及之間電壓大于某一特定值，漏較和源及才能導通。
什么是MOS管?MOS管結構原理圖解(應用_優勢_三個較代表)
1.判斷柵較G
MOS驅動器主要起波形和加強驅動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其是降低電路轉換效率，MOS管發燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。
將G-S較短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S較，紅表筆接D較，阻值應為幾歐至十幾歐。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G較，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源較S、漏較D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S較，紅表筆接D較。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S較與D較。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
測試步驟：
MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。
其步驟如下：
假如有阻值沒被測MOS管有漏電現象。
1、把連接柵較和源較的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好
2、然后一根導線把MOS管的柵較和源較連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。
3、把紅筆接到MOS的源較S上，黑筆接到MOS管的漏較上，好的表針指示應該是無限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵較和漏較上，然后把紅筆接到MOS的源較S上，黑筆接到MOS管的漏較上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵較充電，產生柵較電場，因為電場產生導致導電溝道致使漏較和源較導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。
MOS管（場效應管）的應用領域
1：工業領域、步進馬達驅動、電鉆工具、工業開關電源
2：新能源領域、光伏逆變、充電樁、無人機
3：交通運輸領域、車載逆變器、汽車HID器、電動自行車
4：綠色照明領域、CCFL節能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮流器

1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏較和源較之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載，這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。
2，MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源較接地時的情況（低端驅動），只要柵較電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源較接VCC時的情況（驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅動中，通常還是使用NMOS。
3，MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
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