場效應管 TSS5**5F

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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。 由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單型晶體管。 FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。

場效應管的特性：
1、輸入阻抗高；
2、動態范圍大；
3、功耗低；
4、開關速度快；
5、溫度穩定性好；
6、安全性能好；
7、易于集成；
8、制造簡單；
9、使用壽命長；
10、體積小；
11、重量輕；
12、性能穩定；
13、可靠性高；
14、應用廣泛。
15、20世紀90年代以來場效晶體管已迅速發展成為大規模集成電路中的一種重要的無源元件。

場效應管的分類
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；
按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型類。

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名，場效應管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
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