開關電源場效應管 TSS12**0F

公司主營：二管,三管,場效應管,可控硅,電源IC,光耦,肖特基,快恢復,集成電路,單片機
場效應管的作用
1、場效應管可應用于放大，由于場效應管放大器的輸入阻抗，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效應管的輸入阻抗適合作阻抗變換，常用于放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效應管可以用作可變電阻。
4、場效應管可以方便地用作恒流源。
5、場效應管可以用作電子開關。

場效應管的分類
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；
按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型類。

場效應管（Field Effect Transistor）簡稱FET，是一種利用多數載流子導電的半導體器件。
它具有輸入電阻高、噪聲小、熱穩定性好等優點。場效應管的源和漏分別與柵和源相連，柵通過正反饋控制源信號電流輸出；漏為負反饋控制源信號電流輸出。當外加電壓時，由于多數載流子的擴散運動產生電場作用在源信號電流上形成反向飽和電流Irm，使漏的反向飽和電流Irf減小到零值而關斷；同時柵壓升高而使柵上的正向電壓增大從而使漏的正向電壓減小到零值而導通。

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏-源間流經溝道的ID， 用柵與溝道間的pn結形成的反偏的柵電壓進行控制”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏-源間所加VDS的電場，源區域的某些電子被漏拉去，即從漏向源有電流ID流動。從門向漏擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏-源間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏與門下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源的很短部分，這較使電流不能流通。
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